灣仔298電腦資訊網 報導

法國科研團隊近期成功於矽晶片上製作出具備卓越量子記憶效能的超薄材料，令量子晶片商用化之路再近一步。

由巴黎化學研究所（Institut de recherche de chimie de Paris）主導的研究，首次將摻有稀土元素鈰（Eu3+）的氧化釔薄膜，透過創新方法穩定地沉積於矽基底上，並引入一層氧化釓（Gd2O3）作為緩衝層，成功提升材料的量子表現。

這項創新結合了兩種高端製程技術：化學氣相沉積（CVD）與分子束磊晶（MBE），實現了材料的極致純度與結構穩定性。實驗數據顯示，材料在低溫下能將量子訊息儲存長達一微秒，是過往記錄的十倍以上，對光子量子比特（optical qubits）發展尤其關鍵。

研究人員表示，這種設計不僅展現出良好的相容性，更打破了過去矽材料與量子元件整合的瓶頸。這也意味著，未來的量子儲存與傳輸裝置，將可縮小至與現代電子晶片同樣的體積，有望嵌入手機、筆電等日常設備中。

更令人期待的是，這套方法未來可應用於其他稀土元素，如鈥（Er），進一步優化與電信頻率的相容性，為光纖通訊與量子互聯網鋪路。

這項研究發表於《Nanophotonics》期刊，象徵量子技術與傳統矽科技的融合正進入實用化的新時代。

新聞來源：MSN Tech News

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