灣仔298電腦資訊網 報導

美國對中國的半導體制裁，無意間促成了一場技術革命——中國研究團隊近日宣稱，他們成功研發出一款全新的2D電晶體，效能比目前最先進的3nm矽基晶片快40%，且能耗降低10%。這項突破可能改變中國半導體產業的未來，甚至影響全球晶片市場。

矽之外的可能性：中國科研團隊的新選擇
目前市場上已開始減少對矽的依賴，例如**GaN（氮化鎵）**技術已在充電器領域廣泛應用，因為其效率更高、發熱更低。而現在，這種變革或許將延伸至晶片技術。中國研究人員表示，這種全新的2D電晶體「是迄今最快、最節能的電晶體」。

傳統矽基電晶體在尺寸微縮與功耗控制方面逐漸遇到瓶頸，而這款非矽基晶片的出現，可能為產業帶來新的方向。北大物理化學教授彭海林指出，正是美國的制裁，限制了中國獲取最先進的矽基晶片，才促使中國科學家尋求替代方案，並意外促成了這場技術突破。

技術突破能否落地？市場應用仍有挑戰

雖然這項技術前景誘人，但短期內恐怕難以進入消費級產品。目前，許多突破性的電池技術仍停留在實驗室階段，唯有矽碳電池成功商業化。因此，無矽晶片的智能手機、筆電或其他電子產品，或許還要等待數年。

然而，這場變革的第一個受益者可能是華為。由於美國的技術封鎖，華為無法取得高階晶片，只能依賴ARM架構，無法使用高通、微軟等美系技術，導致其產品效能受限。若華為能率先採用這款無矽晶片，將有望重新提升其技術競爭力。

未來數年，這項技術的發展將備受關注，倘若中國能將其推向量產，甚至進一步實現商業化，全球半導體產業格局或將被重新改寫。

新聞來源：MSN Tech News

[完]

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